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1 1.はじめに

2 2.原子を結び付ける力

     1 2.1 水素原子の電子のエネルギー準位

     2 2.2 一般の原子内電子のエネルギー準位

     3 2.3 原子間にはたらく引力と斥力

     4 2.4 ファンデルワールス力と分子結晶

     5 2.5 イオン結合とイオン結晶

     6 2.6 共有結合と共有結合結晶

     7 2.7 金属結合

     8 2.8 水素結合

     9 2.9 凝集力と固体の性質

3 3.固体の原子構造

     1 3.1 結晶

     2 3.2 結晶格子

     3 3.3 結晶の面と方位

     4 3.4 代表的な物質の結晶構造

     5 3.5 結晶欠陥

     6 3.6 結晶構造解析

     7 3.7 結晶表面の原子構造

     8 3.8 結晶成長

4 4.格子振動と格子比熱

     1 4.1 連続媒質中の弾性波

     2 4.2 結晶の格子振動

     3 4.3 格子振動の量子化と観測

     4 4.4 固体の比熱

5 5.金属の伝導現象

     1 5.1 金属内電子と金属の性質

     2 5.2 金属内電子伝導の古典論

     3 5.3 金属内に閉じ込められた電子の量子力学的扱い

     4 5.4 金属の電気伝導の量子力学的扱い

     5 5.5 仕事関数と電子放出

6 6.固体のエネルギーバンド理論

     1 6.1 結合力によるエネルギーバンドの発生

     2 6.2 周期構造によるエネルギーバンドの発生

     3 6.3 固体内電子のバンド構造

     4 6.4 結晶内電子の運動と有効質量

     5 6.5 金属・半導体・絶縁体

7 7.半導体の導電現象

     1 7.1 半導体概論

     2 7.2 半導体の伝導型と導電率

     3 7.3 半導体内のキャリア密度

     4 7.4 キャリア移動度

     5 7.5 キャリア密度と移動度の測定方法-ホール効果

     6 7.6 半導体内の電気伝導

     7 7.7 過剰少数キャリアの生成と消滅および連続の式

8 8.半導体の接合論

     1 8.1 pn接合形成の定性的過程

     2 8.2 pn接合形成の定量的解析

     3 8.3 pn接合の印加電圧に対する応答

     4 8.4 ヘテロ接合

     5 8.5 ショットキ接合

9 9.半導体デバイス

     1 9.1 金属-絶縁体-半導体接合

     2 9.2 MOSFET

     3 9.3 バイポーラトランジスタ

     4 9.4 化合物半導体デバイス

     5 9.5 その他の半導体デバイス

10 10.物質の誘電的性質と絶縁体の導電現象

     1 10.1 分極

     2 10.2 分極と誘電率

     3 10.3 強誘電体

     4 10.4 誘電体内の導電現象

     5 10.5 ピエゾ効果

11 11.物質の光学的性質

     1 11.1 物質の光学的性質の概論

     2 11.2 物質の電磁波に対する応答

     3 11.3 格子振動と光の相互作用

     4 11.4 半導体と絶縁体の光学的性質

     5 11.5 半導体光デバイス

12 12.磁気物性と超伝導

     1 12.1 原子の磁気モーメントと磁化率

     2 12.2 磁性の源-電子の軌道角運動量とスピンによる磁化

     3 12.3 物質の磁性

     4 12.4 磁気抵抗効果

     5 12.5 超伝導

13 13.ナノテクノロジー

     1 13.1 量子効果

     2 13.2 トンネル効果

     3 13.3 ボトムアップのナノテクノロジー

14 A.付録

     1 A.1 原子内電子のエネルギー準位の量子力学的扱い

     2 A.2 固体比熱理論におけるデバイ関数の導出

     3 A.3 広範囲ホッピング伝導の導電率の算出

     4 A.4 トンネル確率の計算